-
1 Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
Время нарастания импульса
Rise time
tнр.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
Перевод: с русского на все языки
со всех языков на русский- Со всех языков на:
- Русский
- С русского на:
- Английский
